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    射頻放電離子鍍裝置



    射頻放電離子鍍裝置如圖1所示。這種離子鍍的蒸發源采用電限加熱或電子束加熱。蒸發源與基體間距為20cm,在兩者中間設置高頻感應線圈.感應線圈一般為7匝,用直徑3mm的銅絲繞成.高7cm。射頻頻率為13.56MHz,射頻功率一般為0.5 -2kW.基體接0-2000V的負偏壓,放電的工作壓力約為10-3-10-1Pa.只有直流二極型的1%.

    射頻放電離子鍍裝置

    圖1:射頻放電離子鍍裝置

    鍍膜室內分成三個區域:①以蒸發源為中心的蒸發區;②以感應線圈為中心的離化區;③以基體為中心的離子加速區和離子到達區。通過分別調節熱發源功率,感應線圈的射頻激勵功率,基體偏壓等,可以對三個區域進行獨立的控制,從而有效地控制沉積過程.改善了鍍層的物性。
    射頻離子鍍除了可以制備高質量的金屬薄膜外.還能鍍制化合物薄膜和合金薄膜。鍍化合物薄膜采用活性反應法。在反應離子鍍合成化合物薄膜和用多蒸發源配制合金膜時.精確調節蒸發源功率.控制物料的蒸發速率是十分重要的。

    在感應線圈射頻激勵區中.電子在高頻電場作用下做振蕩運動.延長了電子到達陽極的路徑.增加了電子與反應氣體及金屬蒸氣碰掩的概率.這樣可提高放電電流密度。正是由于高頻電場的作用,使著火氣體壓強降低到10-3~10-1Pa,即叮在高真空中進行高頻放電.因而以電子束加熱蒸發源的射頻離子鍍.不必設置差壓板。

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